三星电子的3DNANDflash霸主宝座经常出现危机？三星是第一家研发出有3DNANDflash业者，技术遥遥领先，不过据说日厂东芝(Toshiba)扔重金研发后，情势一夕巨变，东芝将要转弯三星，沦为首家生产64层3DNANDflash的厂商。　　BusinessKorea20日报导，2013年三星电子首度生产3DNAND，东芝直到今天春天才重新加入生产行列，不过却以光速平上输掉，计划今年第三季生产全球首见的64层3DNANDflash，比三星慢了一季。　　64层3DNANDflash极为重要，业界指出64层3DNANDflash的经常出现，代表平面NANDflash时代所画上句点。3DNANDflash采行横向填充，可提升记忆体容量和速度，展现出高于平面NANDflash。

　　尽管东芝来势汹汹，半导体专家认为，东芝和三星仍有技术差距，两家公司仅次于有所不同在于掌控闸(controlgate)技术，三星使用TANOS、东芝用于SONOS。据信东芝的技术便于多层填充，但是缺点在于制程更为简单、生产力较低。　　ThomsonReuters、时事通信社报导，东芝(Toshiba)专责记忆体事业的副社长成毛康雄，7月6日在投资人解释会上回应，将增强3DFlash生产，目标在2017年度将3D产品占到整体生产比重提升至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

　　MBS、韩国先驱报(KoreaHerald)7月6日报导，并未明示消息指，东芝想与西部数据（WesternDigital）在未来三年联手，对3-DNANDFlash投资1.5万亿日元(相等于146亿美元)。根据双方协议，东芝、西部数据不会在日本三重县四日市的现有合资厂房追加芯片生产设备，大多数的资金不会用来加装3-DNAND的生产装置。

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